Un transistor che funziona a 600 °C, senza raffreddamento e senza materiali nuovi
Il dispositivo è un JFET con il gate sotto il canale e isolamento a giunzione p-n al posto della resistenza del materiale sottostante. A 873 K il gruppo riferisce un rapporto on-off sopra 1.000, e a 400 °C uno scarto di soglia sotto gli 0,1 V
Il dispositivo è un JFET con il gate sotto il canale e isolamento a giunzione p-n al posto della resistenza del materiale sottostante. A 873 K il gruppo riferisce un rapporto on-off sopra 1.000, e a 400 °C uno scarto di soglia sotto gli 0,1 V
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