Il chiplet GaN più sottile al mondo l'ha fatto Intel: 19 micrometri su wafer da 300 mm
Intel Foundry ha presentato un chiplet GaN ultra-sottile da 19 μm su wafer da 300 mm con integrazione monolitica della logica digitale. La soluzione combina transistor GaN e silicio nello stesso die, migliorando efficienza, densità e prestazioni.
Intel Foundry ha presentato un chiplet GaN ultra-sottile da 19 μm su wafer da 300 mm con integrazione monolitica della logica digitale. La soluzione combina transistor GaN e silicio nello stesso die, migliorando efficienza, densità e prestazioni.
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