Samsung ha trovato un modo per produrre memorie DRAM al di sotto dei 10nm
Samsung e il suo istituto di ricerca SAIT hanno svelato una tecnologia che consente di portare la produzione dei chip di memoria DRAM al di sotto dei 10 nm grazie a transistor resistenti al calore, aprendo la strada a nuove generazioni di memoria più compatta ed efficiente
Samsung e il suo istituto di ricerca SAIT hanno svelato una tecnologia che consente di portare la produzione dei chip di memoria DRAM al di sotto dei 10 nm grazie a transistor resistenti al calore, aprendo la strada a nuove generazioni di memoria più compatta ed efficiente
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