La memoria flash più veloce al mondo è cinese: scrive in soli 400 picosecondi
Un team dell'Università di Fudan ha sviluppato PoX, una memoria flash non volatile ultra-veloce basata su grafene capace di scrivere in soli 400 picosecondi. La nuova soluzione potrebbe potenzialmente aprire nuovi scenari nel settore dell'IA e non solo.
Un team dell'Università di Fudan ha sviluppato PoX, una memoria flash non volatile ultra-veloce basata su grafene capace di scrivere in soli 400 picosecondi. La nuova soluzione potrebbe potenzialmente aprire nuovi scenari nel settore dell'IA e non solo.
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