Una memoria ferroelettrica raggiunge 10 miliardi di cicli: è 100 volte più resistente
Un team di ricercatori cinesi ha sviluppato una memoria ferroelettrica in AlScN capace di superare 10 miliardi di cicli di scrittura, circa 100 volte oltre il precedente limite. Il risultato potrebbe contribuire a rendere più durevoli le memorie non volatili di prossima generazione.
Un team di ricercatori cinesi ha sviluppato una memoria ferroelettrica in AlScN capace di superare 10 miliardi di cicli di scrittura, circa 100 volte oltre il precedente limite. Il risultato potrebbe contribuire a rendere più durevoli le memorie non volatili di prossima generazione.
Hardware Upgrade
Le News di Hardware Upgrade sulla tecnologia e sul mondo informatico - https://www.hwupgrade.it
