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SSD con una capacità impressionante: Samsung si avvicina ai chip V-NAND da 1.000 layer
Samsung ha completato il primo prototipo di memoria V-NAND a 900 layer grazie alla tecnologia CMB, che unisce due stack da 450 layer. L'azienda punta ai 1000 layer entro il 2030 mentre cresce la competizione con SK Hynix, Micron e YMTC
Samsung ha completato il primo prototipo di memoria V-NAND a 900 layer grazie alla tecnologia CMB, che unisce due stack da 450 layer. L'azienda punta ai 1000 layer entro il 2030 mentre cresce la competizione con SK Hynix, Micron e YMTC
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