Samsung HBM4E: fino a 3,25 TB/s di banda per le future GPU per l'intelligenza artificiale
Samsung punta a conquistare mercato con la futura memoria HBM4E, capace di raggiungere 13 Gbps per pin e una banda complessiva di 3,25 TB/s. La nuova memoria, attesa nel 2027, nasce per soddisfare le richieste di NVIDIA e promette un'efficienza energetica raddoppiata rispetto alla generazione HBM3E.
Samsung punta a conquistare mercato con la futura memoria HBM4E, capace di raggiungere 13 Gbps per pin e una banda complessiva di 3,25 TB/s. La nuova memoria, attesa nel 2027, nasce per soddisfare le richieste di NVIDIA e promette un'efficienza energetica raddoppiata rispetto alla generazione HBM3E.
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