Resistenza a 700 °C e ritenzione dati di 10 anni: la SOT-RAM rivoluzionerà l'AI?
Un team guidato da NYCU e TSMC ha sviluppato una SOT-MRAM capace di commutare in 1ns, con consumo energetico ridotto, stabilità fino a 700 °C e dati conservati per oltre 10 anni. Grazie all’uso del tungsteno in fase beta e del cobalto, la memoria è pronta per l’integrazione industriale e l’uso nei data center AI
Un team guidato da NYCU e TSMC ha sviluppato una SOT-MRAM capace di commutare in 1ns, con consumo energetico ridotto, stabilità fino a 700 °C e dati conservati per oltre 10 anni. Grazie all’uso del tungsteno in fase beta e del cobalto, la memoria è pronta per l’integrazione industriale e l’uso nei data center AI
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