Memorie fino a 400 layer e fino a 8 volte le velocità di HBM5. Samsung infiamma il Future Memory and Storage2026

Samsung ha presentato circa 30 nuove soluzioni tra DRAM, NAND e storage enterprise. Tra le novità figurano le architetture zHBM e zNAND-O, la V10 BV-NAND con oltre 400 layer e nuove soluzioni HBM per i futuri sistemi IA

Agosto 5, 2026 - 16:30
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Memorie fino a 400 layer e fino a 8 volte le velocità di HBM5. Samsung infiamma il Future Memory and Storage2026
Samsung ha presentato circa 30 nuove soluzioni tra DRAM, NAND e storage enterprise. Tra le novità figurano le architetture zHBM e zNAND-O, la V10 BV-NAND con oltre 400 layer e nuove soluzioni HBM per i futuri sistemi IA
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