HBM5, DDR6 e NAND da 400 layer: il futuro secondo SK hynix è già scritto
SK hynix ha diffuso la roadmap 2026-2031 per DRAM e NAND, con HBM5, DDR6 e NAND 4D oltre i 400 layer. L'azienda introduce il concetto di "Full Stack AI Memory Creator", puntando su soluzioni custom e integrate per ottimizzare le prestazioni nei sistemi di intelligenza artificiale.
SK hynix ha diffuso la roadmap 2026-2031 per DRAM e NAND, con HBM5, DDR6 e NAND 4D oltre i 400 layer. L'azienda introduce il concetto di "Full Stack AI Memory Creator", puntando su soluzioni custom e integrate per ottimizzare le prestazioni nei sistemi di intelligenza artificiale.
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